ವಿಕಿಪೀಡಿಯ

ಇಸಾಮು ಅಕಾಸಕಿ

ಇಸಾಮು ಅಕಾಸಕಿ (赤崎 勇, Akasaki Isamu, ಜನನ, ಜನವರಿ 30, 1929) ಜಪಾನಿನ ತಂತ್ರಜ್ಜ ಮತ್ತು ಭೌತಶಾಸ್ತಜ್ಜ. ಇವರು ಅರೆವಾಹಕಗಳ ತಂತ್ರಜ್ಜಾನದಲ್ಲಿ ವಿಷೇಶಜ್ಜ ಮತ್ತು ನೊಬೆಲ್ ಪ್ರಶಸ್ತಿ ವಿಜೇತರು.ಇವರ ಪ್ರಸಿದ್ಧ ಸಂಶೋಧನೆ ೧೯೮೯ರಲ್ಲಿ ಮಾಡಿದ ಪ್ರಖರ ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ (GaN) p-n ಜಂಕ್ಷನ್ ನೀಲಿ ಎಲ್ ಇ ಡಿ ಮತ್ತು ಇದರ ಫಲಶ್ರುತಿಯಾಗಿ ಅತ್ಯಂತ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರಕಾಶಮಾನವುಳ್ಳ ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ ನೀಲಿ ಎಲ್.ಇ.ಡಿ,ಯ ಅವಿಷ್ಕಾರ.[೧][೨][೩][೪][೫]

Isamu Akasaki
Isamu Akasaki
ಹುಟ್ಟು ಹೆಸರು赤崎 勇
ಜನನ (1929-01-30) ೩೦ ಜನವರಿ ೧೯೨೯ (ವಯಸ್ಸು ೯೫)
Chiran, Kawanabe District, Kagoshima Prefecture, Empire of Japan
ರಾಷ್ಟ್ರೀಯತೆJapanese
ಕಾರ್ಯಕ್ಷೇತ್ರಗಳುPhysics, Engineering
ಸಂಸ್ಥೆಗಳುMeijo University
Nagoya University
ಅಭ್ಯಸಿಸಿದ ಸಂಸ್ಥೆKyoto University
Nagoya University
ಗಮನಾರ್ಹ ಪ್ರಶಸ್ತಿಗಳುAsahi Prize (2001)
Takeda Award (2002)
Kyoto Prize (2009)
IEEE Edison Medal (2011)
Nobel Prize in Physics (2014)
Charles Stark Draper Prize (2015)

ಇದಕ್ಕಾಗಿ ಮತ್ತು ಇತರ ಸಾಧನೆಗಳಿಗಾಗಿ, ಅಕಾಸಾಕಿಗೆ 2009 ರಲ್ಲಿ ಸುಧಾರಿತ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ ಕ್ಯೋಟೋ ಪ್ರಶಸ್ತಿ, [೬] ಮತ್ತು 2011 ರಲ್ಲಿ ಐಇಇಇ ಎಡಿಸನ್ ಪದಕವನ್ನು ನೀಡಲಾಯಿತು . [೭] "ಪ್ರಕಾಶವಾನವಾದ ಮತ್ತು ಇಂಧನ ಉಳಿಸುವ ಬಿಳಿ ಬೆಳಕಿನ ಮೂಲಗಳನ್ನು ಶಕ್ತಗೊಳಿಸುವ, ನೀಲಿ ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್‌ಗಳ ಆವಿಷ್ಕಾರಕ್ಕಾಗಿ",ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ 2014 ರ ನೊಬೆಲ್ ಪ್ರಶಸ್ತಿಯನ್ನು ಹಿರೋಷಿ ಅಮಾನೋ ಮತ್ತು ಶುಜಿ ನಕಮುರಾ ಅವರೊಂದಿಗೆ ನೀಡಲಾಯಿತು, [೮]

ಆರಂಭಿಕ ಜೀವನ ಮತ್ತು ಶಿಕ್ಷಣ

ಬದಲಾಯಿಸಿ
 
ಇಸಾಮು ಅಕಾಸಕಿ

ಕಾಗೋಶಿಮಾ ಪ್ರಾಂತ್ಯದಲ್ಲಿ ಜನಿಸಿದ ಅಕಾಸಕಿ 1952 ರಲ್ಲಿ ಕ್ಯೋಟೋ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದಿಂದ ಪದವಿ ಪಡೆದರು ಮತ್ತು . 1964 ರಲ್ಲಿ ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನಲ್ಲಿಅಕಾಸಕಿ. ಡಾ.ಇಂಗ್ ಪದವಿ ಪಡೆದರು. ಕಾಲೇಜು ವರ್ಷಗಳಲ್ಲಿ, ಸ್ಥಳೀಯ ನಿವಾಸಿಗಳು ವಿರಳವಾಗಿ ಭೇಟಿ ನೀಡುವ ದೇವಾಲಯಗಳು ಮತ್ತು ದೇವಸ್ಥಾನಗಳಿಗೆ ಭೇಟಿ ನೀಡಿದರು, ಬೇಸಿಗೆ ರಜೆಯಲ್ಲಿ ಶಿನ್ಶು ಪರ್ವತಗಳ ಸುತ್ತಲೂ ನಡೆದರು, ತರಗತಿಗಳನ್ನು ಆನಂದಿಸಿದರು ಮತ್ತು ವಿದ್ಯಾರ್ಥಿ ಜೀವನವನ್ನು ಪೂರೈಸಿದರು. [೯]

ಅವರು 1960 ರ ದಶಕದ ಅಂತ್ಯದಲ್ಲಿ GaN ಆಧಾರಿತ ನೀಲಿ ಎಲ್ಇಡಿಗಳಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡಲು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿದರು. ಹಂತ ಹಂತವಾಗಿ, ಟೋಕಿಯೊ, ಇಂಕ್‌ನ ಮಾಟ್ಸುಶಿತಾ ಸಂಶೋಧನಾ ಸಂಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ GaN ಹರಳುಗಳು ಮತ್ತು ಸಾಧನ ರಚನೆಗಳ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು [೧೦] ಸುಧಾರಿಸಿದರು. (ಎಂಆರ್ಐಟಿ), ಅಲ್ಲಿ ಅವರು ಮೆಟಾಲ್ ಆರ್ಗನಿಕ್ ವೇಪರ್ ಫೇಸ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ (ಎಂಒವಿಪಿಇ) ಯನ್ನು GaNಗೆ ಆದ್ಯತೆಯ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನವಾಗಿ ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ನಿರ್ಧರಿಸಿದರು.

1981 ರಲ್ಲಿ ಅವರು ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದಲ್ಲಿ MOVPE ಮೂಲಕ GaN ನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ಹೊಸದಾಗಿ ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿದರು, ಮತ್ತು 1985 ರಲ್ಲಿ ಅವರು ಮತ್ತು ಅವರ ಗುಂಪು ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ (LT) ಬಫರ್ ಲೇಯರ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಪ್ರವರ್ತಿಸುವ ಮೂಲಕ ನೀಲಮಣಿ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಉತ್ತಮ-ಗುಣಮಟ್ಟದ GaN ಅನ್ನು ಬೆಳೆಸುವಲ್ಲಿ ಯಶಸ್ವಿಯಾದರು. [೧೧] [೧೨]

ಈ ಉತ್ತಮ-ಗುಣಮಟ್ಟದ GaN ಮೆಗ್ನೀಸಿಯಮ್ (Mg) ನೊಂದಿಗೆ ಡೋಪಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಮತ್ತು ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿಕಿರಣ (1989) ನಿಂದ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಮೊದಲ GaN pn ಜಂಕ್ಷನ್ ನೀಲಿ / ಯುವಿ ಎಲ್ಇಡಿ (1989) ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಮತ್ತು ವಾಹಕತೆ ನಿಯಂತ್ರಣವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು p- ಮಾದರಿಯ GaN ಅನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಲು ಅವರಿಗೆ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಟ್ಟಿತು. ಸಿಲಿಕಾನ್ (ಸಿಐ) ಯೊಂದಿಗೆ ಡೋಪಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಎನ್-ಟೈಪ್ ಗಾನ್ (1990) [೧೩] ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳು (1991) [೧೪], ಹೆಚ್ಚು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾದ ಪಿಎನ್ ಜಂಕ್ಷನ್ ಲೈಟ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯ ವಿನ್ಯಾಸ ಮತ್ತು ರಚನೆಯಲ್ಲಿ ಹೆಟೆರೊ ರಚನೆಗಳು ಮತ್ತು ಬಹು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ವೆಲ್ಗ ಗಳ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಶಕ್ತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ರಚನೆಗಳು.

ಅವರು 1990 ರಲ್ಲಿ ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಗಾನ್‌ನಿಂದ ಪ್ರಚೋದಿತ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಿದರು, [೧೫] ಮತ್ತು 1995 ರಲ್ಲಿ 388 ಎನ್ ಎಮ್ ಗೆ ಪ್ರಚೋದಿತ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು ಉನ್ನತ-ಗುಣಮಟ್ಟದ AlGaN / GaN / GaInN ಕ್ವಾಂಟಮ್ ವೆಲ್ ಸಾಧನದಿಂದ ಪಲ್ಸ್ ಪ್ರವಾಹದ ಚುಚ್ಚುಮದ್ದಿನೊಂದಿಗೆ nm. [೧೬] ಅವರು ನೈಟ್ರೈಡ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಗಾತ್ರದ ಪರಿಣಾಮ (1991) [೧೭] ಮತ್ತು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಸೀಮಿತವಾದ ಸ್ಟಾರ್ಕ್ ಪರಿಣಾಮ (1997) [೧೮] ಅನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಿದರು, ಮತ್ತು 2000 ರಲ್ಲಿ ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ ಪೀಜೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಅವಲಂಬನೆ ಮತ್ತು ಅರೆ-ಧ್ರುವೇತರ ಗಾನ್ ಹರಳುಗಳ ಅಸ್ತಿತ್ವವನ್ನು ತೋರಿಸಿದರು. [೧೯] ಇದು ಆ ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಬೆಳಕಿನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಲು ವಿಶ್ವಾದ್ಯಂತದ ಪ್ರಯತ್ನಗಳನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸಿದೆ.

ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯ ಅಕಾಸಕಿ ಸಂಸ್ಥೆ

ಬದಲಾಯಿಸಿ
 
ಅಕಾಸಕಿ ಸಂಸ್ಥೆ

ಈ ಆವಿಷ್ಕಾರಗಳಿಂದ ಅಕಾಸಾಕಿಯ ಪೇಟೆಂಟ್‌ಗಳನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಯಿತು, ಮತ್ತು ಪೇಟೆಂಟ್‌ಗಳಿಗೆ ರಾಯಧನವಾಗಿ ದೊರೆಯಲಾರಂಬಿಸಿತು. ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯ ಅಕಾಸಕಿ ಸಂಸ್ಥೆ ಅಕ್ಟೋಬರ್ 20, 2006 ರಂದು ಪ್ರಾರಂಭವಾಯಿತು. ಸಂಸ್ಥೆಯ ನಿರ್ಮಾಣ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯಕ್ಕೆ ಪೇಟೆಂಟ್ ರಾಯಧನ ಆದಾಯದೊಂದಿಗೆ ಭರಿಸಲಾಯಿತು, ಇದನ್ನು ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾದ ಚಟುವಟಿಕೆಗಳಿಗೆ ಸಹ ಬಳಸಲಾಯಿತು. ಈ ಸಂಸ್ಥೆಯು ನೀಲಿ ಎಲ್ಇಡಿ ಸಂಶೋಧನೆ / ಬೆಳವಣಿಗೆಗಳು ಮತ್ತು ಅನ್ವಯಗಳ ಇತಿಹಾಸವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಲು ಎಲ್ಇಡಿ ಗ್ಯಾಲರಿ, ಸಂಶೋಧನಾ ಸಹಯೋಗಕ್ಕಾಗಿ ಕಚೇರಿ, ನವೀನ ಸಂಶೋಧನೆಗಾಗಿ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯಗಳು ಮತ್ತು ಆರನೇ ಮಹಡಿಯಲ್ಲಿರುವ ಅಕಾಸಾಕಿಯ ಕಚೇರಿಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ. ಈ ಸಂಸ್ಥೆ ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯ ಹಿಗಶಿಯಾಮಾ ಕ್ಯಾಂಪಸ್‌ನಲ್ಲಿನ ಸಹಯೋಗ ಸಂಶೋಧನಾ ವಲಯದ ಮಧ್ಯದಲ್ಲಿದೆ.

ವೃತ್ತಿಪರ ದಾಖಲೆ

ಬದಲಾಯಿಸಿ
 
ಸೀಜಿ ಮೊರಿಮೊಟೊ ಅವರೊಂದಿಗೆ ( ಸ್ವೀಡನ್‌ನಲ್ಲಿ )

ಅಕಾಸಾಕಿ 1952 ರಿಂದ 1959 ರವರೆಗೆ ಕೋಬ್ ಕೊಗ್ಯೊ ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ ಸಂಶೋಧನಾ ವಿಜ್ಞಾನಿಯಾಗಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡಿದರು (ಈಗ, ಫುಜಿತ್ಸು ಲಿಮಿಟೆಡ್. ). 1959 ರಲ್ಲಿ ಅವರು 1964 ರವರೆಗೆ ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ವಿಭಾಗದಲ್ಲಿ ಸಂಶೋಧನಾ ಸಹಾಯಕ, ಸಹಾಯಕ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕ ಮತ್ತು ಸಹಾಯಕ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರಾಗಿದ್ದರು. ನಂತರ 1964 ರಲ್ಲಿ, ಅವರು ಟೋಕಿಯೊ, ಇಂಕ್‌ನ ಮಾಟ್ಸುಶಿತಾ ರಿಸರ್ಚ್ ಇನ್‌ಸ್ಟಿಟ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಮೂಲ ಸಂಶೋಧನಾ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯದ ಮುಖ್ಯಸ್ಥರಾಗಿದ್ದರು, ನಂತರ 1974 ರವರೆಗೆ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಿಭಾಗದ ಜನರಲ್ ಮ್ಯಾನೇಜರ್ ಆದರು (ಅದೇ ಸಂಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ 1981 ರವರೆಗೆ. 1981 ರಲ್ಲಿ ಅವರು ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ವಿಭಾಗದಲ್ಲಿ 1992 ರವರೆಗೆ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರಾದರು.

1987 ರಿಂದ 1990 ರವರೆಗೆ ಅವರು ಜಪಾನ್ ವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಸಂಸ್ಥೆ (ಜೆಎಸ್‌ಟಿ) ಪ್ರಾಯೋಜಿಸಿದ "ಗಾನ್ ಮೂಲದ ಬ್ಲೂ ಲೈಟ್-ಎಮಿಟಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್‌ನ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿ" ಯ ಪ್ರಾಜೆಕ್ಟ್ ಲೀಡರ್ ಆಗಿದ್ದರು. ನಂತರ 1993 ರಿಂದ ಜೆಎಸ್‌ಟಿ ಪ್ರಾಯೋಜಿಸಿದ "ಗಾನ್-ಆಧಾರಿತ ಶಾರ್ಟ್-ವೇವ್ಲೆಂಗ್ತ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಲೇಸರ್ ಡಯೋಡ್‌ನ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿ" ಯ ಪ್ರಾಜೆಕ್ಟ್ ಲೀಡರ್ ಆಗಿ 1999 ರವರೆಗೆ. ಅವರು "ಗಾನ್-ಆಧಾರಿತ ಶಾರ್ಟ್-ವೇವ್ಲೆಂಗ್ತ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಲೇಸರ್ ಡಯೋಡ್ನ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿ" ಯ ಪ್ರಾಜೆಕ್ಟ್ ಲೀಡರ್ ಆಗಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದಾಗ, ಅವರು 1995 ರಲ್ಲಿ ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿದರು ಮತ್ತು 1996 ರವರೆಗೆ ಹೊಕ್ಕೈಡೋ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಂಶೋಧನಾ ಕೇಂದ್ರದ ಸಂದರ್ಶಕ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರಾಗಿ ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿದರು. 1996 ರಲ್ಲಿ ಅವರು 2001 ರವರೆಗೆ ಜಪಾನ್ ಸೊಸೈಟಿ ಫಾರ್ ದಿ ಪ್ರಮೋಷನ್ ಸೈನ್ಸ್ (ಜೆಎಸ್ಪಿಎಸ್) ನ "ರಿಸರ್ಚ್ ಫಾರ್ ದಿ ಫ್ಯೂಚರ್" ಕಾರ್ಯಕ್ರಮದ ಪ್ರಾಜೆಕ್ಟ್ ಲೀಡರ್ ಆಗಿದ್ದರು. 1996 ರಿಂದ ಅವರು ಮೀಜೊ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದಲ್ಲಿ "ಹೈಟೆಕ್ ರಿಸರ್ಚ್ ಸೆಂಟರ್ ಫಾರ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ಸ್" ನ ಪ್ರಾಜೆಕ್ಟ್ ಲೀಡರ್ ಆಗಿ ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿದರು, ಇದನ್ನು 2004 ರವರೆಗೆ MEXT ಪ್ರಾಯೋಜಿಸಿತು. 2003 ರಿಂದ 2006 ರವರೆಗೆ ಅವರು ಎಂಇಟಿಐ ಪ್ರಾಯೋಜಿಸಿದ "ನೈಟ್ರೈಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ಸ್ ಆಧಾರಿತ ವೈರ್‌ಲೆಸ್ ಸಾಧನಗಳ ಆರ್ & ಡಿ ಸ್ಟ್ರಾಟೆಜಿಕ್ ಸಮಿತಿಯ" ಅಧ್ಯಕ್ಷರಾಗಿದ್ದರು.

ಅವರು ಈಗಲೂ ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರಾಗಿ, 1992 ರಿಂದ ಮೀಜೊ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿದ್ದಾರೆ. ಅಲ್ಲದೆ, 2004 ರಿಂದ ಮೀಜೊ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಸಂಶೋಧನಾ ಕೇಂದ್ರದ ನಿರ್ದೇಶಕರಾಗಿ. ಅಲ್ಲದೆ, 2001 ರಿಂದ ನಾಗೋಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಅಕಾಸಾಕಿ ಸಂಶೋಧನಾ ಕೇಂದ್ರದಲ್ಲಿ ರಿಸರ್ಚ್ ಫೆಲೋ ಆಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿದ್ದಾರೆ.

ಗೌರವಗಳು ಮತ್ತು ಪ್ರಶಸ್ತಿಗಳು

ಬದಲಾಯಿಸಿ

ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ಮತ್ತು ಶೈಕ್ಷಣಿಕ

ಬದಲಾಯಿಸಿ
 
ಶುಜಿ ನಕಮುರಾ ಮತ್ತು ಹಿರೋಷಿ ಅಮಾನೊ ಅವರೊಂದಿಗೆ (ಡಿಸೆಂಬರ್ 8, 2014 ರಂದು ಗ್ರ್ಯಾಂಡ್ ಹೋಟೆಲ್‌ನಲ್ಲಿ )
  • 1989 – ಜಪಾನೀಸ್ ಅಸೋಸಿಯೇಷನ್ ಫಾರ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಗ್ರೋತ್ (ಜೆಎಸಿಜಿ) ಪ್ರಶಸ್ತಿ
  • 1991 – ಚು ನಿಚಿ ಸಾಂಸ್ಕೃತಿಕ ಪ್ರಶಸ್ತಿ[೨೦]
  • 1994 – ತಾಂತ್ರಿಕ ಕೊಡುಗೆ ಪ್ರಶಸ್ತಿ, ಜಪಾನೀಸ್ ಅಸೋಸಿಯೇಷನ್ ಫಾರ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಗ್ರೋತ್ ಅದರ 20 ನೇ ವಾರ್ಷಿಕೋತ್ಸವದ ನೆನಪಿಗಾಗಿ
  • 1995 – ಹೆನ್ರಿಕ್ ವೆಲ್ಕರ್ ಗೋಲ್ಡ್ ಮೆಡಲ್
  • 1996 – ಇಂಜಿನೀರಿಂಗ್ ಸಾಧನಾ ಪ್ರಶಸ್ತಿ, the Institute of Electrical and Electronics Engineers / Lasers Electro-Optics Society
  • 1998 – ಇನೋ ಹರುಶಿಗೆ ಪ್ರಶಸ್ತಿ, Japan Science and Technology Agency
  • 1998 – C&C Prize, the Nippon Electric Company Corporation[೨೧]
  • 1998 – Laudise Prize, the International Organization for Crystal Growth[೨೨]
  • 1998 – Jack A. Morton Award, the Institute of Electrical and Electronics Engineers[೨೩]
  • 1998 – Rank Prize, the Rank Prize Foundation[೨೪]
  • 1999 – Fellow, the Institute of Electrical and Electronics Engineers[೨೫]
  • 1999 – Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology, the Electrochemical Society[೨೬]
  • 1999 – Honoris Causa Doctorate, the University of Montpellier II
  • 1999 – Toray Science and Technology Prize, Toray Science Foundation[೨೭]
  • 2001 – Asahi Prize, the Asahi Shinbun Cultural Foundation[೨೮]
  • 2001 – Honoris Causa Doctorate, Linkoping University
  • 2002 – Outstanding Achievement Award, the Japan Society of Applied Physics
  • 2002 – Fujihara Award, the Fujihara Foundation of Science[೨೯]
  • 2002 – Takeda Award, the Takeda Foundation[೩೦]
  • 2003 – President's Award, the Science Council of Japan (SCJ)[೩೧]
  • 2003 – Solid State Devices & Materials (SSDM) Award
  • 2004 – Tokai TV Culture Prize
  • 2004 – University Professor, Nagoya University
  • 2006 – John Bardeen Award, the Minerals, Metals & Materials Society[೩೨]
  • 2006 – Outstanding Achievement Award, the Japanese Association for Crystal Growth
  • 2007 – Honorable Lifetime Achievement Award, the 162nd Research Committee on Wide Bandgap Semiconductor Photonic and Electronic Devices, Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)
  • 2008 – Foreign Associate, the US National Academy of Engineering[೩೩]
  • 2009 – Kyoto Prize Advanced Technology, the Inamori Foundation[೩೪]
  • 2010 – Lifetime Professor, Meijo University
  • 2011 – Edison Medal, the Institute of Electrical and Electronics Engineers[೭]
  • 2011 – Special Award for Intellectual Property Activities, the Japan Science and Technology Agency
  • 2011 – Minami-Nippon Culture Prize-Honorable Prize
  • 2014 – Nobel Prize in Physics together with prof. Hiroshi Amano and prof. Shuji Nakamura[೮]
  • 2015 – Charles Stark Draper Prize
  • 2015 – Asia Game Changer Award[೩೫]


ರಾಷ್ಟ್ರೀಯ

ಬದಲಾಯಿಸಿ
 
ಅಕಾಸಾಕಿ ಆರ್ಡರ್ ಆಫ್ ಕಲ್ಚರ್ ಪಡೆದರು. ಅದರ ನಂತರ, ಅವರು ಫೋಟೋಗೆ ಪೋಸ್ ನೀಡಿದರು. (ನವೆಂಬರ್ 3, 2011 ರಂದು ಟೋಕಿಯೊ ಇಂಪೀರಿಯಲ್ ಪ್ಯಾಲೇಸ್‌ನ ಪೂರ್ವ ಉದ್ಯಾನದಲ್ಲಿ)
  • 1997 - ಜಪಾನಿನ ಸರ್ಕಾರವಾದ ಪರ್ಪಲ್ ರಿಬ್ಬನ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಪದಕ [೩೬]
  • 2002 - ಆರ್ಡರ್ ಆಫ್ ದಿ ರೈಸಿಂಗ್ ಸನ್, ನೆಕ್ ರಿಬ್ಬನ್ ಜೊತೆ ಗೋಲ್ಡ್ ರೇಸ್, ಜಪಾನೀಸ್ ಸರ್ಕಾರ [೩೭]
  • 2004 - ಪರ್ಸನಲ್ ಆಫ್ ಕಲ್ಚರಲ್ ಮೆರಿಟ್, ಜಪಾನೀಸ್ ಸರ್ಕಾರ
  • 2011 - ಆರ್ಡರ್ ಆಫ್ ಕಲ್ಚರ್, ಜಪಾನೀಸ್ ಚಕ್ರವರ್ತಿ [೩೮] [೩೯] [೪೦]
  • ಜಪಾನೀಸ್ ನೊಬೆಲ್ ಪ್ರಶಸ್ತಿ ವಿಜೇತರ ಪಟ್ಟಿ
  • ಕ್ಯೋಟೋ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿತವಾಗಿರುವ ನೊಬೆಲ್ ಪ್ರಶಸ್ತಿ ವಿಜೇತರ ಪಟ್ಟಿ

ಉಲ್ಲೇಖಗಳು

ಬದಲಾಯಿಸಿ
  1. ↑ "Japanese Journal of Applied Physics". Jsap.jp. Archived from the original on July 22, 2012. Retrieved 2015-11-10.
  2. ↑ "Japanese Journal of Applied Physics". jsap.jp. Archived from the original on April 18, 2012. Retrieved 2015-11-10.
  3. ↑ Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1989-12-20). "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)". Japanese Journal of Applied Physics. Japan Society of Applied Physics. 28 (Part 2, No. 12): L2112–L2114. Bibcode:1989JaJAP..28L2112A. doi:10.1143/jjap.28.l2112. ISSN 0021-4922.
  4. ↑ Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu (1991). "Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED". Journal of Luminescence. Elsevier BV. 48–49: 666–670. Bibcode:1991JLum...48..666A. doi:10.1016/0022-2313(91)90215-h. ISSN 0022-2313.
  5. ↑ Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Kenji Itoh, Norikatsu Koide and Katsuhide Manabe: "GaN-based UV/blue light emitting devices", Inst. Phys. Conf. Ser. No.129, pp. 851-856, 1992
  6. ↑ "INAMORI FOUNDATION". Inamori-f.or.jp. Archived from the original on March 4, 2016. Retrieved 2015-11-10.
  7. ↑ ೭.೦ ೭.೧ "IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients" (PDF). IEEE. Retrieved April 15, 2012.
  8. ↑ ೮.೦ ೮.೧ "The 2014 Nobel Prize in Physics - Press Release". Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. Retrieved October 7, 2014.
  9. ↑ http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/about/history/honor/award_b/nobel/2015/akasaki/interview.html ノーベル物理学賞受賞者・赤﨑勇博士と京都大学 －大学時代に育まれた研究者の芽－
  10. ↑ Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: "Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 63, pp. 479-484 (Proc. of the 9th Intl. Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1981).
  11. ↑ Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. (1986-02-03). "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer". Applied Physics Letters. AIP Publishing. 48 (5): 353–355. Bibcode:1986ApPhL..48..353A. doi:10.1063/1.96549. ISSN 0003-6951.
  12. ↑ Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Koide, Yasuo; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko (1989). "Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE". Journal of Crystal Growth. Elsevier BV. 98 (1–2): 209–219. doi:10.1016/0022-0248(89)90200-5. ISSN 0022-0248.
  13. ↑ H. Amano and I. Akasaki: "Fabrication and Properties of GaN p-n Junction LED", Mater. Res. Soc. Extended Abstract (EA-21), pp.165-168, 1990, (Fall Meeting 1989)
  14. ↑ Murakami, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko; Akasaki, Isamu (1991). "Growth of Si-doped AlxGa1–xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy". Journal of Crystal Growth. Elsevier BV. 115 (1–4): 648–651. Bibcode:1991JCrGr.115..648M. doi:10.1016/0022-0248(91)90820-u. ISSN 0022-0248.
  15. ↑ Amano, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Akasaki, Isamu (1990-02-20). "Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer". Japanese Journal of Applied Physics. Japan Society of Applied Physics. 29 (Part 2, No. 2): L205–L206. Bibcode:1990JaJAP..29L.205A. doi:10.1143/jjap.29.l205. ISSN 0021-4922.
  16. ↑ Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu; Tanaka, Toshiyuki; Koike, Masayoshi (1995-11-01). "Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device". Japanese Journal of Applied Physics. Japan Society of Applied Physics. 34 (11B): L1517–L1519. Bibcode:1995JaJAP..34L1517A. doi:10.7567/jjap.34.l1517. ISSN 0021-4922.
  17. ↑ Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1991-09-15). "Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures". Japanese Journal of Applied Physics. Japan Society of Applied Physics. 30 (Part 1, No. 9A): 1924–1927. Bibcode:1991JaJAP..30.1924I. doi:10.1143/jjap.30.1924. ISSN 0021-4922.
  18. ↑ Takeuchi, Tetsuya; Sota, Shigetoshi; Katsuragawa, Maki; Komori, Miho; Takeuchi, Hideo; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu (1997-04-01). "Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells". Japanese Journal of Applied Physics. Japan Society of Applied Physics. 36 (Part 2, No. 4A): L382–L385. Bibcode:1997JaJAP..36L.382T. doi:10.1143/jjap.36.l382. ISSN 0021-4922.
  19. ↑ Takeuchi, Tetsuya; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu (2000-02-15). "Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells". Japanese Journal of Applied Physics. Japan Society of Applied Physics. 39 (Part 1, No. 2A): 413–416. Bibcode:2000JaJAP..39..413T. doi:10.1143/jjap.39.413. ISSN 0021-4922.
  20. ↑ "中日文化賞". 中日新聞 CHUNICHI Web.
  21. ↑ "NEC: News Release 98/11/04-01". Nec.co.jp. Retrieved 2015-11-10.
  22. ↑ "International Organization for Crystal Growth". Iocg.org. Archived from the original on 2014-07-21. Retrieved 2015-11-10.
  23. ↑ (PDF) https://web.archive.org/web/20141013182218/http://www.ieee.org/documents/morton_rl.pdf. Archived from the original (PDF) on October 13, 2014. Retrieved January 7, 2014. {{cite web}}: Missing or empty |title= (help)
  24. ↑ [೧] Archived December 13, 2012, ವೇಬ್ಯಾಕ್ ಮೆಷಿನ್ ನಲ್ಲಿ.
  25. ↑ https://web.archive.org/web/20121226163602/http://www.ieee.org/membership_services/membership/fellows/chronology/fellows_1999.html. Archived from the original on December 26, 2012. Retrieved February 23, 2013. {{cite web}}: Missing or empty |title= (help)
  26. ↑ "ECS SSS&T Award". Electrochem.org. Archived from the original on October 12, 2014. Retrieved 2015-11-10.
  27. ↑ "Toray Science and Technology Prize : List of Winners". Toray.com. Archived from the original on 2014-10-13. Retrieved 2015-11-10.
  28. ↑ The Asahi Shimbun Company. "The Asahi Shimbun Company - The Asahi Prize - English Information". Asahi.com. Retrieved 2015-11-10.
  29. ↑ "Archived copy". Archived from the original on ಏಪ್ರಿಲ್ 11, 2013. Retrieved ಮಾರ್ಚ್ 1, 2013.{{cite web}}: CS1 maint: archived copy as title (link)
  30. ↑ "Social/Economic Well-Being : Technical Achievement: The Development of Blue Light Emitting Semiconductor Devices - Development of the blue light emitting diode and laser diode is the final link in completing the light spectrum for semiconductor devices". Takeda-foundation.jp. Retrieved 2015-11-10.
  31. ↑ "IAP - About IAP". Interacademies.net. Retrieved 2015-11-10.
  32. ↑ "Recipient: 2006 John Bardeen Award". Tms.org. Archived from the original on ಮಾರ್ಚ್ 4, 2016. Retrieved ನವೆಂಬರ್ 10, 2015.
  33. ↑ "NAE Website - Dr. Isamu Akasaki". Nae.edu. Retrieved 2015-11-10.
  34. ↑ "INAMORI FOUNDATION". Inamori-f.or.jp. Archived from the original on ಮಾರ್ಚ್ 4, 2016. Retrieved ನವೆಂಬರ್ 10, 2015.
  35. ↑ "Chanda Kochhar among three Indians get Asia Game Changer awards". The Economic Times. September 16, 2015. Archived from the original on September 21, 2015. Retrieved October 28, 2020.
  36. ↑ "Types of Medals". cao.go.jp.
  37. ↑ "Orders of the Rising Sun". Cao.go.jp. Retrieved 2015-11-10.
  38. ↑ "Order of Culture". Cao.go.jp. Retrieved 2015-11-10.
  39. ↑ "Archived copy". Archived from the original on April 11, 2013. Retrieved 2013-03-01.{{cite web}}: CS1 maint: archived copy as title (link)
  40. ↑ "M͎͎". Nifty.com. Archived from the original on September 13, 2016. Retrieved 2015-11-10.
  • ಫೋಟೊನಿಕ್ಸ್ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಾ, 54, ನವೆಂಬರ್ 2004 ರಲ್ಲಿ ಒಳನೋಟಗಳು ಮತ್ತು ಉದ್ಯಮ
  • ಮೆಟೀರಿಯಲ್ಸ್ ರಿಸರ್ಚ್ ಸೊಸೈಟಿ ಸಿಂಪೋಸಿಯಮ್ ಪ್ರೊಸೀಡಿಂಗ್ಸ್, ಸಂಪುಟ 639 (2000), ಪುಟಗಳು xxiii － xxv
"https://kn.wikipedia.org/w/index.php?title=ಇಸಾಮು_ಅಕಾಸಕಿ&oldid=1124286" ಇಂದ ಪಡೆಯಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ