ಅರೆವಾಹಕ: ಪರಿಷ್ಕರಣೆಗಳ ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸ

Content deleted Content added
No edit summary
No edit summary
೪ ನೇ ಸಾಲು:
ಅರೆವಾಹಕ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಇದರ ಗುಣಗಳಾದ ನಿರಾಯಾಸ ವಿಧ್ಯುತ್ ಚಲನೆ , ಬದಲಾಯಿಸ ಬಹುದಾದ ಪ್ರತಿರೋದಕ,ಬೆಳಕು ಮತ್ತು ಶಾಖ ದೊಡಗಿನ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ಕಾಣಬಹುದು.ಈ ಗುಣಗಳಿಂದಲೇ ಅರೆವಾಹಕಗಳನ್ನು ಹಿಗ್ಗಿಸುವಿಕೆ(Amplification),ಬದಲಾಯಿಸುವಿಕೆ(Switching),ಶಕ್ತಿಯ ಪರಿವರ್ತಕ(Energy Conversion) ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ.
ಅರೆವಾಹಕಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಣಾ ವಾಹನಗಳ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಈ ಸಂಗ್ರಹಣಾ ವಾಹನಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಹೋಲ್ಸ ಗಳಿಂದ ಕೂಡಿರುತ್ತವೆ.ಕಲಬೆರೆಕೆ ಕಣಗಳನ್ನು ಅರೆವಹಾಕಗಳಿಗೆ ಸೇರಿಸುವುದರ ಮುಖಾಂತರ ಸಂಗ್ರಹಣಾ ವಾಹನಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು. ಈ ಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು [https://en.wikipedia.org/wiki/Doping_(semiconductor) ಡೋಪಿಂಗ್(Doping)] ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ.ಡೋಪಿಂಗ್ ಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಅರೆವಾಹಕಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಸೆರೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ ಹೋಲ್ಸಗಳು ಸೇರಿದಾಗ ಅದನ್ನು ಪ-ಟೈಪ್(p-type) ಎಂದೂ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಸೆರೆಯಲಿಲ್ಲದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳು ಸೇರಿದಾಗ ಅದನ್ನು ನ್-ಟೈಪ್(n-type) ಅರೆವಾಹಕಗಳೆಂದೂ ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ.
ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಕೆಲವು ಗುಣಗಳನ್ನು ೧೯ನೇ ಶತಮಾನದ ಮಧ್ಯದಿಂದ ೨೦ನೇ ಶತಮಾನದ ಆದಿಯ ಕಾಲಗಟ್ಟದಲ್ಲಿ ಗಮನಿಸಲಾಯಿತು.ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಫಿಸಿಕ್ಸ್ ನ ಪ್ರಗತಿ ೧೯೪೮ ರಲ್ಲಿ [https://en.wikipedia.org/wiki/Transistor ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್(Transistor)] ನ ಅಭಿವೃದ್ದಿಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು.ಕೆಲವೊಂದು ಮೂಲದಾತುಗಳಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಸಾಕಷ್ಟು ಲೋಹಗಳಲ್ಲಿಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳಲ್ಲಿ ಅರೆವಾಹಕ ಗುಣಗಳಿದ್ದರೂ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ [https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon ಸಿಲಿಕಾನ್],[https://en.wikipedia.org/wiki/Germanium ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್] ಮತ್ತು [https://en.wikipedia.org/wiki/Gallium ಗ್ಯಾಲಿಯಂ] ಲೋಹಗಳನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ.
 
==ಗುಣಗಳು==
'''ಮಾರ್ಪುಕ ವಾಹಕ'''
ಪರಿಶುದ್ದ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ತಮ್ಮ valance bond ಗಳಲ್ಲಿ ಅವಶ್ಯವಿರುವ ಸಂಖ್ಯೆಯಷ್ಟೇ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಕಾರಣ ಅವು ಗುಣಮಟ್ಟವಲ್ಲದ ವಾಹಕಗಳಾಗಿರುತ್ತವೆ, ಅದ್ದರಿಂದ ಮೇಲೆ ತಿಳಿಸಿದಂತೆ ಡೋಪಿಂಗ್ ಅಥವಾ ಗೇಟಿಂಗ್ ತಂತ್ರಗಳ ಮುಖಾಂತರ ಅವುಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ/ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳನ್ನು ಹೊಂದುವಂತೆ ಮಾರ್ಪಡಿಸಬಹುದು. ಹೀಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಮಾರ್ಪಡಿಸಿದಾಗ ಅರೆವಹಾಕಗಳು ಉತ್ತಮ(ಲಕ್ಷ ಅಥವಾ ಅದುಕ್ಕೂ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪಟ್ಟು) ವಾಹಕಗಳಗುತ್ತವೆ.
 
[[ವರ್ಗ:ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ]]
"https://kn.wikipedia.org/wiki/ಅರೆವಾಹಕ" ಇಂದ ಪಡೆಯಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ