ಅರೆವಾಹಕ: ಪರಿಷ್ಕರಣೆಗಳ ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸ

Content deleted Content added
ಚು 'ಒಂದು ಹಂತ(ತಾಪಮಾನ) ದಾಟಿದ ತಕ್ಷಣ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಅವಾಹಕಗಳಿಂದ ವಾಹಕಗಳಾಗಿ ಬದಲಾಗುತ್ತವೆ' ಎಂಬುದು ತಪ್ಪು.
No edit summary
೨ ನೇ ಸಾಲು:
 
ಪರಿಪೂರ್ಣ ಶೂನ್ಯ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಈ ವಸ್ತುಗಳ ವಾಹಕತೆ ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ತಾಪಮಾನ ಹೆಚ್ಚಿದಂತೆ ಇವುಗಳ ವಾಹಕತೆ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಾ ಹೋಗುತ್ತದೆ. ಈ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್‍ಗಳಲ್ಲಿ [[ವೇಲೆನ್ಸ್ ಬ್ಯಾಂಡ್]] ಮತ್ತು [[ಕಂಡಕ್ಷನ್ ಬ್ಯಾಂಡ್]] ಮಧ್ಯದ ಅಂತರ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಆದರೆ, ಉಷ್ಣ ಹೆಚ್ಚಿದಂತೆ, ಅಂತರ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿ, ವೇಲೆನ್ಸ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‍ನ ( ವೇಲೆನ್ಸ್ ಪಟ್ಟಿ) ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‍ಗಳು ಕಂಡಕ್ಷನ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‍ಗೆ(ವಾಹಕ ಪಟ್ಟಿ) ಪಯಣಿಸಿ, ವಸ್ತುವಿಗೆ ವಾಹಕತೆ ತುಂಬಲು ಸಹಕರಿಸುತ್ತವೆ.
ಅರೆವಾಹಕ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಇದರ ಗುಣಗಳಾದ ನಿರಾಯಾಸ ವಿಧ್ಯುತ್ ಚಲನೆ , ಬದಲಾಯಿಸ ಬಹುದಾದ ಪ್ರತಿರೋದಕ,ಬೆಳಕು ಮತ್ತು ಶಾಖ ದೊಡಗಿನ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ಕಾಣಬಹುದು.ಈ ಗುಣಗಳಿಂದಲೇ ಅರೆವಾಹಕಗಳನ್ನು ಹಿಗ್ಗಿಸುವಿಕೆ(Amplification),ಬದಲಾಯಿಸುವಿಕೆ(Switching),ಶಕ್ತಿಯ ಪರಿವರ್ತಕ(Energy Conversion) ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ.
ಅರೆವಾಹಕಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಣಾ ವಾಹನಗಳ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಈ ಸಂಗ್ರಹಣಾ ವಾಹನಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಹೋಲ್ಸ ಗಳಿಂದ ಕೂಡಿರುತ್ತವೆ.ಕಲಬೆರೆಕೆ ಕಣಗಳನ್ನು ಅರೆವಹಾಕಗಳಿಗೆ ಸೇರಿಸುವುದರ ಮುಖಾಂತರ ಸಂಗ್ರಹಣಾ ವಾಹನಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು. ಈ ಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು [https://en.wikipedia.org/wiki/Doping_(semiconductor) ಡೋಪಿಂಗ್(Doping)] ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ.ಡೋಪಿಂಗ್ ಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಅರೆವಾಹಕಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಸೆರೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ ಹೋಲ್ಸಗಳು ಸೇರಿದಾಗ ಅದನ್ನು ಪ-ಟೈಪ್(p-type) ಎಂದೂ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಸೆರೆಯಲಿಲ್ಲದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳು ಸೇರಿದಾಗ ಅದನ್ನು ನ್-ಟೈಪ್(n-type) ಅರೆವಾಹಕಗಳೆಂದೂ ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ.
ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಕೆಲವು ಗುಣಗಳನ್ನು ೧೯ನೇ ಶತಮಾನದ ಮಧ್ಯದಿಂದ ೨೦ನೇ ಶತಮಾನದ ಆದಿಯ ಕಾಲಗಟ್ಟದಲ್ಲಿ ಗಮನಿಸಲಾಯಿತು.ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಫಿಸಿಕ್ಸ್ ನ ಪ್ರಗತಿ ೧೯೪೮ ರಲ್ಲಿ [https://en.wikipedia.org/wiki/Transistor ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್(Transistor)] ನ ಅಭಿವೃದ್ದಿಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು.ಕೆಲವೊಂದು ಮೂಲದಾತುಗಳಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಸಾಕಷ್ಟು ಲೋಹಗಳಲ್ಲಿ ಅರೆವಾಹಕ ಗುಣಗಳಿದ್ದರೂ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ [https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon ಸಿಲಿಕಾನ್],[https://en.wikipedia.org/wiki/Germanium ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್] ಮತ್ತು [https://en.wikipedia.org/wiki/Gallium ಗ್ಯಾಲಿಯಂ] ಲೋಹಗಳನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ.
 
[[ವರ್ಗ:ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ]]
"https://kn.wikipedia.org/wiki/ಅರೆವಾಹಕ" ಇಂದ ಪಡೆಯಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ